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Datasheet: F1235C (OSRAM GmbH)

Infrared Chip, 950 Nm, 8 Mil, Au-alloy Backside

 

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OSRAM GmbH
F 0094U
F 0094V
GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 m Kantenlnge)
GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil)
Vorlufige Daten / Preliminary data
2002-02-04
1
Wesentliche Merkmale
Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im
TOPLED
Gehuse
Chipgre 300 x 300
m
2
GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
Gleichstrom- oder Impulsbetrieb mglich
Hohe Zuverlssigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Anwendungen
Miniaturlichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser
Industrieelektronik
,,Messen/Steuern/Regeln"
Automobiltechnik
Sensorik
Alarm- und Sicherungssysteme
IR-Freiraumbertragung
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
F 0094U
on request
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschlu,
Oberflche aufgerauht
Infrared emitting die, top side anode connection, surface
frosted
F 0094V
Q67220-C1268
Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschlu
Infrared emitting die, top side anode connection
Features
Typ. total radiant power: 15 mW @ 100 mA in
TOPLED
package
Chip size 300 x 300
m
2
Very highly efficient GaAs LED
Good linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
DC or pulsed operations are possible
High reliability
High pulse handling capability
Applications
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
Drive and control circuits
Automotive technology
Sensor technology
Alarm and safety equipment
IR free air transmission
2002-02-04
2
F 0094U, F 0094V
Elektrische Werte (gemessen auf TO18-Bodenplatte ohne Verguss,
T
A
= 25
C)
Electrical values (measured on TO18 header without resin,
T
A
= 25
C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
peak
950
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max,
I
F
= 10 mA
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
55
nm
Sperrspannung
Reverse voltage
I
R
= 10
A,
V
R
5
30
V
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90% auf
10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.5/0.4
s
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
V
F
1.35
3.0
1.5
V
Gesamtstrahlungsflu
4)
Total radiant flux
4)
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
F 0094U
F 0094V
e
4.8
4.2
8
7
mW
mW
Temperaturkoeffizient
2)
von
Temperature coefficient
2)
of
I
F
= 100 mA;
TC
0.3
nm/K
Temperaturkoeffizient
2)
von V
F
Temperature coefficient
2)
of V
F
I
F
= 100 mA;
TC
V
-1.5
mV/K
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
3
Mechanische Werte
Mechanical values
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
1)
Value
1)
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Chipkantenlnge (x-Richtung)
Length of chip edge (x-direction)
L
x
0.28
0.3
0.32
mm
Chipkantenlnge (y-Richtung)
Length of chip edge (y-direction)
L
y
0.28
0.3
0.32
mm
Durchmesser des Wafers
Diameter of the wafer
D
76.2
mm
Chiphhe
Die height
H
170
185
200
m
Bondpaddurchmesser
Diameter of bondpad
d
135
m
Bezeichnung
Parameter
Wert
Value
Vorderseitenmetallisierung
Metallization frontside
Aluminium
Aluminum
Rckseitenmetallisierung
Metallization backside
Goldlegierung
Gold alloy
Trennverfahren
Dicing
Sgen
Sawing
Verbindung Chip - Trger
Die bonding
Kleben
Epoxy bonding
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
4
Grenzwerte
3)
(T
A
= 25 C)
Maximum Ratings
3)
(T
A
= 25C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Maximaler Betriebstemperaturbereich
Maximum operating temperature range
T
op
- 40...+100
C
Maximaler Lagertemperaturbereich
Maximum storage temperatur range
T
stg
- 40...+100
C
Maximaler Durchlastrom
Maximum forward current
I
F
100
mA
Maximaler Stostrom
maximum surge current
t
p
= 10 s, D = 0.005
I
S
3
A
Maximale Sperrschichttemperatur
Maximum junction temperature
T
j
125
C
F 0094U, F 0094V
2002-02-04
5
Relative Spectral Emission
2)
I
rel
=
f
(
),
T
A
= 25 C
Forward Current
2)
,I
F
=
f
(
V
F
),
single pulse,
t
p
= 20
s, T
A
= 25 C
Radiant Intensity
2)
Single pulse,
t
p
= 20
s, T
A
= 25 C
Permissible Pulse Handling Capability
2)
I
F
= f (t
P
)
duty cycle D = parameter, T
A
= 25 C
OHR01938
rel
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
10
OHR01554
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
e
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
OHR00864
F
-1
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
10
0
mA)
(100
e
e
10
1
OHR00865
-5
10
10
2
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
T
F
T
D =
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
s
D =
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