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Datasheet: BPY62-3/-4 (OSRAM GmbH)

Phototransistor in TO-18 Metal Package, Half Angle ±8 °

 

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OSRAM GmbH
BPY 62
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
2001-02-21
1
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich
von 420 nm bis 1130 nm
Hohe Linearitt
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
Basisanschlu, geeignet bis 125
C
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
,,Messen/Steuern/Regeln"
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 62
Q60215-Y62
BPY 62-3
Q60215-Y1112
BPY 62-3/4
Q60215-Y5198
BPY 62-4
Q60215-Y1113
Features
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
High linearity
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection, suitable up to 125
C
Available in groups
Applications
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
2001-02-21
2
BPY 62
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
40
...
+ 125
C
Lttemperatur bei Tauchltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse, Ltzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
C
Lttemperatur bei Kolbenltung
Ltstelle
2 mm vom Gehuse, Ltzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
100
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
C
Total power dissipation
P
tot
200
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
500
K/W
BPY 62
2001-02-21
3
Kennwerte (
T
A
= 25
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
420
...
1130
nm
Bestrahlungsempfindliche Flche
Radiant sensitive area
A
0.12
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
B
L
W
0.5
0.5
mm
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche
Distance chip front to case surface
H
2.4
...
3.0
mm
Halbwinkel
Half angle
8
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
4.5
17
A
A
Kapazitt
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
8
11
19
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
I
CEO
5 (
100)
nA
2001-02-21
4
BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/
standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.5
...
1.0
3.0
0.8
...
1.6
4.6
1.25
...
2.5
7.2
2.0
11.4
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
5
7
9
12
s
Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
150
150
160
180
mV
Stromverstrkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
170
270
420
670
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
I
PCE
I
PCB
---------
BPY 62
2001-02-21
5
Relative Spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark Current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark Current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-Emitter Capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
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