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Datasheet: 200GB60DLC (Eupec GmbH)

Technicshe Information

 

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Eupec GmbH
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
-
-
0,17
K/W
-
-
0,29
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
Paste
= 1W/m*K /
grease
= 1W/m*K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
5
Nm
-15
+15
%
Schraube M6
screw M6
M1
g
180
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
R
thJC
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gewicht
weight
Transistor / transistor, DC
Diode / diode, DC
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mech. Befestigung
mounting torque
CTI
comperative tracking index
Kriechstrecke
creepage insulation
Luftstrecke
clearance
mm
8,5
mm
15
275
Al
2
O
3
3 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC

I
C
[A]
V
CE
[V]
I
C
[A]
V
CE
[V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125C
4 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC

I
C
[A]
V
GE
[V]
I
F
[A]
V
F
[V]
0
50
100
150
200
250
300
350
400
5
6
7
8
9
10
11
12
13
Tvj = 25C
Tvj = 125C
bertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
Tvj = 25C
Tvj = 125C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08
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