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Datasheet: F1200A (Diotec Semiconductor)

Fast Silicon Rectifiers

 

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Diotec Semiconductor
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
62
.
5
0
.
5
7,
5
0
.
1
0.1
8
0.05
1.2
Type
F1200A, F1200D
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Version 2004-04-06
Nominal current Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
50V, 200 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
8 x 7.5 [mm]
Kunststoffgehuse
P-600 Style
Weight approx. Gewicht ca.
1.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
F1200A
50
50
F1200D
200
200
Max. average forward rectified current, R-load
T
A
= 50C
I
FAV
12 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz
I
FRM
80 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
T
A
= 25C
I
FSM
375 A
Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
T
A
= 25C
I
FSM
390 A
Stostrom fr eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
T
A
= 25C
i
2
t
680 A
2
s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+150C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+175C
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gltig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Pulse thermal resistance versus pulse duration )
Impulswrmewiderstand in Abh. v.d. Impulsdauer )
1
1
F1200A, F1200D
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage Durchlaspannung
T
j
= 25C
I
F
= 5 A
V
F
< 0.82 V
Leakage current Sperrstrom
T
j
= 25C
V
R
= V
RRM
I
R
< 25 A
Reverse recovery time
I
F
= 0.5 A through/ber
t
rr
< 200 ns
Sperrverzug
I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 10 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
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